FDA24N40F
κατασκευαστής:
ΟΝΣΕΜΙ
Περιγραφή:
Δοκιμαστική ενέργεια
Κατηγορία:
Ολοκληρωμένο κύκλωμα ημιαγωγών
Προδιαγραφές
Κατηγορία:
Διακριτά προϊόντα ημιαγωγών
Τρανζίστορες
FETs, MOSFETs
Μοναδικά FET, MOSFET
Χαρακτηριστικό γνώρισμα FET:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
5V @ 250µA
Θερμοκρασία λειτουργίας:
-55 °C ~ 150 °C (TJ)
Πακέτο / Κουτί:
-3P-3, SC-65-3
Τεχνική διάταξη:
60 nC @ 10 V
Επικεφαλής (Max) @ Id, Vgs:
190mOhm @ 11,5A, 10V
Τύπος FET:
N-Κανάλι
Τετάρτη, 15 Ιανουαρίου 2019:
10V
Πακέτο:
Τύπος
Τεχνική μέθοδος:
400 V
Vgs (μέγιστο):
±30V
Κατάσταση του προϊόντος:
Ενεργός
Δυνατότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds:
3030 pF @ 25 V
Τύπος στερέωσης:
Μέσα από την τρύπα
Σειρά:
UniFETTM
Πακέτο συσκευής του προμηθευτή:
-3PN
Δρ.:
ΟΝΣΕΜΙ
ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25°C:
23A (TC)
Διασκεδασμός δύναμης (Max):
235W (Tc)
τεχνολογία:
MOSFET (μεταλλικό οξείδιο)
Αριθμός βασικού προϊόντος:
FDA24
Επισημαίνω:
FDA24N40F power MOSFET
,FDA24N40F semiconductor IC
,FDA24N40F electronic component
Εισαγωγή
Διάδρομος N 400 V 23A (Tc) 235W (Tc) μέσω τρύπας TO-3PN
Συγγενικά προϊόντα
MC33178DR2G
Operational Amplifiers - Op Amps 2-18V Dual Low Power Industrial Temp
LM2904DMR2G
Operational Amplifiers - Op Amps 3-26V Dual Lo PWR -40 to 105deg C
Ειδικότερα, οι εν λόγω διατάξεις ισχύουν για τα οχήματα με κινητήρα.
Operational Amplifiers - Op Amps ANA DUAL PWR OP AMP
NCV2903DMR2G
IC COMP DUAL OFFSET LV 8MICRO
CAT24C08WI-GT3
EEPROM 8K-Bit I2C Serial EEPROM
FDC3601N
MOSFET 2N-CH 100V 1A SSOT-6
FDS4897C
MOSFET N/P-CH 40V 8-SOIC
FDS6898A
MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC
FDC6401N
MOSFET 2N-CH 20V 3A SSOT-6
FDS4559
MOSFET N/P-CH 60V 4.5A/3.5A 8-SO
| Εικόνα | μέρος # | Περιγραφή | |
|---|---|---|---|
|
|
MC33178DR2G |
Operational Amplifiers - Op Amps 2-18V Dual Low Power Industrial Temp
|
|
|
|
LM2904DMR2G |
Operational Amplifiers - Op Amps 3-26V Dual Lo PWR -40 to 105deg C
|
|
|
|
Ειδικότερα, οι εν λόγω διατάξεις ισχύουν για τα οχήματα με κινητήρα. |
Operational Amplifiers - Op Amps ANA DUAL PWR OP AMP
|
|
|
|
NCV2903DMR2G |
IC COMP DUAL OFFSET LV 8MICRO
|
|
|
|
CAT24C08WI-GT3 |
EEPROM 8K-Bit I2C Serial EEPROM
|
|
|
|
FDC3601N |
MOSFET 2N-CH 100V 1A SSOT-6
|
|
|
|
FDS4897C |
MOSFET N/P-CH 40V 8-SOIC
|
|
|
|
FDS6898A |
MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC
|
|
|
|
FDC6401N |
MOSFET 2N-CH 20V 3A SSOT-6
|
|
|
|
FDS4559 |
MOSFET N/P-CH 60V 4.5A/3.5A 8-SO
|
Στείλετε το RFQ
Αποθέματα:
Τροποποιημένο: