logo

SQ2389ES-T1_GE3

κατασκευαστής:
Vishay Siliconix
Περιγραφή:
MOSFET P-CH 40V 4.1A SOT23-3
Κατηγορία:
Ολοκληρωμένο κύκλωμα ημιαγωγών
Προδιαγραφές
Κατηγορία:
Διακριτά προϊόντα ημιαγωγών Τρανζίστορες FETs, MOSFETs Μοναδικά FET, MOSFET
Χαρακτηριστικό γνώρισμα FET:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
2.5V @ 250µA
Θερμοκρασία λειτουργίας:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Πακέτο / Κουτί:
ΤΟ-236-3, SC-59, SOT-23-3
Τεχνική διάταξη:
nC 12 @ 10 Β
Επικεφαλής (Max) @ Id, Vgs:
94mOhm @ 10A, 10V
Τύπος FET:
P-Channel
Τετάρτη, 15 Ιανουαρίου 2019:
4.5V, 10V
Πακέτο:
Ταινία και τροχό (TR) Τραπέζια κόψιμο (CT) Digi-Reel®
Τεχνική μέθοδος:
40 V
Vgs (μέγιστο):
±20V
Κατάσταση του προϊόντος:
Ενεργός
Δυνατότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds:
420 pF @ 20 V
Τύπος στερέωσης:
Επεξεργασία επιφανείας
Σειρά:
Αυτοκίνητος, AEC-Q101, TrenchFET®
Πακέτο συσκευής του προμηθευτή:
SOT-23-3 (TO-236)
Δρ.:
Vishay Siliconix
ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25°C:
4.1A (TC)
Διασκεδασμός δύναμης (Max):
3W (Tc)
τεχνολογία:
MOSFET (μεταλλικό οξείδιο)
Αριθμός βασικού προϊόντος:
SQ2389
Εισαγωγή
Π-Κανάλι 40 V 4.1A (Tc) 3W (Tc) Επιφανειακή επιφάνεια SOT-23-3 (TO-236)
Στείλετε το RFQ
Αποθέματα:
Τροποποιημένο: