SIR610DP-T1-RE3
![ποιότητας [#varpname#] εργοστάσιο](http://www.scarceic.com/images/load_icon.gif){kind=icon}
κατασκευαστής:
Siliconix / Vishay
Περιγραφή:
MOSFET 200V PowerPAK SO-8 Τύπος Rds ((on)) 24 μm
Κατηγορία:
Ολοκληρωμένο κύκλωμα ημιαγωγών
Προδιαγραφές
Πολικότητα κρυσταλλολυχνιών:
N-Κανάλι
Κατηγορία προϊόντων:
MOSFET
Στυλ εγκατάστασης:
Δοκιμαστική συσκευή
Φίρμα:
ThunderFET
Ελάχιστη θερμοκρασία λειτουργίας:
- 55 Γ
Πακέτο / Κουτί:
PowerPAK-SO-8
Μέγιστη θερμοκρασία λειτουργίας:
+ 150 C
Vds - τάση διακοπής αγωγός-πηγής:
200 V
συσκευασία:
Ρολ
Θόριο Vgs - τάση κατώτατων ορίων πύλη-πηγής:
4 V
Ταυτότητα - συνεχές ρεύμα αγωγών:
35.4 Α
RDS επάνω - αντίσταση αγωγός-πηγής:
23.9 μΩμ
Αριθμός καναλιών:
1 κανάλι
Vgs - τάση πύλη-πηγής:
20 V
Qg - δαπάνη πυλών:
nC 20
Κατασκευαστής:
Siliconix / Vishay
Εισαγωγή
Το SIR610DP-T1-RE3, από το Siliconix / Vishay, είναι MOSFET. Αυτό που προσφέρουμε έχει ανταγωνιστική τιμή στην παγκόσμια αγορά, τα οποία είναι σε πρωτότυπα και νέα μέρη.Αν θέλετε να μάθετε περισσότερα για τα προϊόντα ή να εφαρμόσετε χαμηλότερη τιμή, παρακαλούμε επικοινωνήστε μαζί μας μέσω του online chat ή στείλτε μας μια προσφορά!
Συγγενικά προϊόντα
SQ2315ES-T1_GE3
MOSFET P-Channel 12V AEC-Q101 Qualified
SQJ479EP-T1_GE3
MOSFET P Ch -80Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
Dg412dq-T1-E3
Analog Switch ICs P M Quad SPST CMOS Analog Switch
Dg412dy-T1-E3
Analog Switch ICs Quad SPST 22/25V
Dg411dy-T1-E3
Analog Switch ICs Quad SPST 22/25V
| Εικόνα | μέρος # | Περιγραφή | |
|---|---|---|---|
|
|
SQ2315ES-T1_GE3 |
MOSFET P-Channel 12V AEC-Q101 Qualified
|
|
|
|
SQJ479EP-T1_GE3 |
MOSFET P Ch -80Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
|
|
|
|
Dg412dq-T1-E3 |
Analog Switch ICs P M Quad SPST CMOS Analog Switch
|
|
|
|
Dg412dy-T1-E3 |
Analog Switch ICs Quad SPST 22/25V
|
|
|
|
Dg411dy-T1-E3 |
Analog Switch ICs Quad SPST 22/25V
|
Στείλετε το RFQ
Αποθέματα:
Τροποποιημένο:
