NGTB25N120FL3WG
κατασκευαστής:
ΟΝΣΕΜΙ
Περιγραφή:
IGBT Τρανζίστορες IGBT 1200V 25A FS3 SOLAR/
Κατηγορία:
Ολοκληρωμένο κύκλωμα ημιαγωγών
Προδιαγραφές
Ρεύμα διαρροής πύλη-εκπομπών:
NA 200
Κατηγορία προϊόντων:
Τρανζίστορ IGBT
Στυλ εγκατάστασης:
Μέσα από την τρύπα
Συνεχές ρεύμα συλλεκτών σε 25 Γ:
100 Α
Pd - Δυναμική διάσπαση:
349 W
Τάση VCEO Max εκπομπών συλλεκτών:
1,2 kV
Πακέτο / Κουτί:
TO247-3
Μέγιστη θερμοκρασία λειτουργίας:
+ 175 Γ
Μέγιστη τάση εκπομπών πυλών:
+/- 20 Β
συσκευασία:
Τύπος
Διαμόρφωση:
Μονό
Τάση κορεσμού συλλέκτης-εκπομπών:
1.7 V
Κατασκευαστής:
ΟΝΣΕΜΙ
Επισημαίνω:
Semiconductor IC NGTB25N120FL3WG
,Power transistor NGTB25N120FL3WG
,High voltage IC NGTB25N120FL3WG
Εισαγωγή
Το NGTB25N120FL3WG,από onsemi,είναι IGBT Transistors. Αυτό που προσφέρουμε έχουν ανταγωνιστική τιμή στην παγκόσμια αγορά,που είναι σε πρωτότυπα και νέα μέρη.Αν θέλετε να μάθετε περισσότερα για τα προϊόντα ή να ζητήσετε χαμηλότερη τιμή, παρακαλούμε επικοινωνήστε μαζί μας μέσω του online chat ή στείλτε μας μια προσφορά!
Συγγενικά προϊόντα
MC33178DR2G
Operational Amplifiers - Op Amps 2-18V Dual Low Power Industrial Temp
LM2904DMR2G
Operational Amplifiers - Op Amps 3-26V Dual Lo PWR -40 to 105deg C
Ειδικότερα, οι εν λόγω διατάξεις ισχύουν για τα οχήματα με κινητήρα.
Operational Amplifiers - Op Amps ANA DUAL PWR OP AMP
NCV2903DMR2G
IC COMP DUAL OFFSET LV 8MICRO
CAT24C08WI-GT3
EEPROM 8K-Bit I2C Serial EEPROM
FDC3601N
MOSFET 2N-CH 100V 1A SSOT-6
FDS4897C
MOSFET N/P-CH 40V 8-SOIC
FDS6898A
MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC
FDC6401N
MOSFET 2N-CH 20V 3A SSOT-6
FDS4559
MOSFET N/P-CH 60V 4.5A/3.5A 8-SO
| Εικόνα | μέρος # | Περιγραφή | |
|---|---|---|---|
|
|
MC33178DR2G |
Operational Amplifiers - Op Amps 2-18V Dual Low Power Industrial Temp
|
|
|
|
LM2904DMR2G |
Operational Amplifiers - Op Amps 3-26V Dual Lo PWR -40 to 105deg C
|
|
|
|
Ειδικότερα, οι εν λόγω διατάξεις ισχύουν για τα οχήματα με κινητήρα. |
Operational Amplifiers - Op Amps ANA DUAL PWR OP AMP
|
|
|
|
NCV2903DMR2G |
IC COMP DUAL OFFSET LV 8MICRO
|
|
|
|
CAT24C08WI-GT3 |
EEPROM 8K-Bit I2C Serial EEPROM
|
|
|
|
FDC3601N |
MOSFET 2N-CH 100V 1A SSOT-6
|
|
|
|
FDS4897C |
MOSFET N/P-CH 40V 8-SOIC
|
|
|
|
FDS6898A |
MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC
|
|
|
|
FDC6401N |
MOSFET 2N-CH 20V 3A SSOT-6
|
|
|
|
FDS4559 |
MOSFET N/P-CH 60V 4.5A/3.5A 8-SO
|
Στείλετε το RFQ
Αποθέματα:
Τροποποιημένο: