FZ600R12KE4HOSA1
Προδιαγραφές
Κατάσταση τμήματος:
Ενεργός
Αποθέματα εργοστασίου:
0
Κατηγορία προϊόντων:
Ενότητες IGBT
Η τάση - διάσπαση του συλλέκτη εκπομπής (μέγιστη):
1200V
Τρέχων - Περιορισμός συλλέκτη (μέγιστο):
5mA
Θερμοστήρας NTC:
- Όχι.
Ελάχιστη ποσότητα:
10
Πακέτο συσκευής του προμηθευτή:
Μονάδα
Πακέτο / Κουτί:
Μονάδα
Τύπος IGBT:
-
Τρόπος - Συλλέκτης (Ic) (μέγιστο):
600A
Δυνατότητα εισόδου (Cies) @ Vce:
1.7nF @ 25V
Vce ((on) (Max) @ Vge, Ic:
2.1V @ 15V, 600A
@ qty:
0
Θερμοκρασία λειτουργίας:
-40°C ~ 125°C
Διαμόρφωση:
Μονό
Εισαγωγή:
Τύπος
Τύπος στερέωσης:
Στήριξη πλαισίου
Σειρά:
-
Δύναμη - Max:
3000W
Κατασκευαστής:
Ινφίνιον Τεχνολογίες
Εισαγωγή
Το FZ600R12KE4HOSA1, από την Infineon Technologies, είναι μονάδες IGBT. Αυτό που προσφέρουμε έχει ανταγωνιστική τιμή στην παγκόσμια αγορά, που είναι σε πρωτότυπα και νέα μέρη.Αν θέλετε να μάθετε περισσότερα για τα προϊόντα ή να ζητήσετε χαμηλότερη τιμή, παρακαλούμε επικοινωνήστε μαζί μας μέσω του online chat ή στείλτε μας μια προσφορά!
Συγγενικά προϊόντα
![ποιότητας [#varpname#] εργοστάσιο](http://www.scarceic.com/images/load_icon.gif)
IPD25N06S4L-30
MOSFET N-Ch 60V 25A DPAK-2 OptiMOS-T2
![ποιότητας [#varpname#] εργοστάσιο](http://www.scarceic.com/images/load_icon.gif)
Δοκιμαστικό σύστημα
MOSFET N-Ch 55V 19A DPAK-2 OptiMOS
![ποιότητας [#varpname#] εργοστάσιο](http://www.scarceic.com/images/load_icon.gif)
Δελτίο ΕΚΑΧ, Δελτίο ΕΚΑΧ, Δελτίο ΕΚΑΧ
MOSFET N-CHANNEL 75/80V
![ποιότητας [#varpname#] εργοστάσιο](http://www.scarceic.com/images/load_icon.gif)
Δελτίο ΕΚΑΧ, Δελτίο ΕΚΑΧ, Δελτίο ΕΚΑΧ
MOSFET MOSFET
![ποιότητας [#varpname#] εργοστάσιο](http://www.scarceic.com/images/load_icon.gif)
IPD35N10S3L-26
MOSFET N-Ch 100V 35A DPAK-2 OptiMOS-T
![ποιότητας [#varpname#] εργοστάσιο](http://www.scarceic.com/images/load_icon.gif)
S26HS01GTGABHB030
IC FLASH 1GBIT HYPERBUS 24FBGA
![ποιότητας [#varpname#] εργοστάσιο](http://www.scarceic.com/images/load_icon.gif)
FM24V02A-GTR
IC FRAM 256KBIT I2C 3.4MHZ 8SOIC
![ποιότητας [#varpname#] εργοστάσιο](http://www.scarceic.com/images/load_icon.gif)
Fm24c16b-GTR
IC FRAM 16KBIT I2C 1MHZ 8SOIC
![ποιότητας [#varpname#] εργοστάσιο](http://www.scarceic.com/images/load_icon.gif)
S25FL127SABMFV101
IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 8SOIC
![ποιότητας [#varpname#] εργοστάσιο](http://www.scarceic.com/images/load_icon.gif)
TLE8366E V50
Switching Voltage Regulators 1.8A DC/DC Step-Down Voltage Regulator
Εικόνα | μέρος # | Περιγραφή | |
---|---|---|---|
![]() |
IPD25N06S4L-30 |
MOSFET N-Ch 60V 25A DPAK-2 OptiMOS-T2
|
|
![]() |
Δοκιμαστικό σύστημα |
MOSFET N-Ch 55V 19A DPAK-2 OptiMOS
|
|
![]() |
Δελτίο ΕΚΑΧ, Δελτίο ΕΚΑΧ, Δελτίο ΕΚΑΧ |
MOSFET N-CHANNEL 75/80V
|
|
![]() |
Δελτίο ΕΚΑΧ, Δελτίο ΕΚΑΧ, Δελτίο ΕΚΑΧ |
MOSFET MOSFET
|
|
![]() |
IPD35N10S3L-26 |
MOSFET N-Ch 100V 35A DPAK-2 OptiMOS-T
|
|
![]() |
S26HS01GTGABHB030 |
IC FLASH 1GBIT HYPERBUS 24FBGA
|
|
![]() |
FM24V02A-GTR |
IC FRAM 256KBIT I2C 3.4MHZ 8SOIC
|
|
![]() |
Fm24c16b-GTR |
IC FRAM 16KBIT I2C 1MHZ 8SOIC
|
|
![]() |
S25FL127SABMFV101 |
IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 8SOIC
|
|
![]() |
TLE8366E V50 |
Switching Voltage Regulators 1.8A DC/DC Step-Down Voltage Regulator
|
Στείλετε το RFQ
Αποθέματα:
Τροποποιημένο: