Δελτίο ΕΚΑΧ, Δελτίο ΕΚΑΧ, Δελτίο ΕΚΑΧ
Προδιαγραφές
Πολικότητα κρυσταλλολυχνιών:
N-Κανάλι
τεχνολογία:
Si
Ταυτότητα - συνεχές ρεύμα αγωγών:
90 Α
Στυλ εγκατάστασης:
Δοκιμαστική συσκευή
Ελάχιστη θερμοκρασία λειτουργίας:
- 55 Γ
Πακέτο / Κουτί:
-252-3
Μέγιστη θερμοκρασία λειτουργίας:
+ 175 Γ
Τρόπος καναλιών:
Αύξηση
Vds - τάση διακοπής αγωγός-πηγής:
100 V
συσκευασία:
Ρολ
Θόριο Vgs - τάση κατώτατων ορίων πύλη-πηγής:
1.1 V
Κατηγορία προϊόντων:
MOSFET
RDS επάνω - αντίσταση αγωγός-πηγής:
50,8 μΩμ
Αριθμός καναλιών:
1 κανάλι
Vgs - τάση πύλη-πηγής:
16 V
Qg - δαπάνη πυλών:
98 μ.Χ.
Κατασκευαστής:
Ινφίνιον Τεχνολογίες
Εισαγωγή
Το IPD90N10S4L-06, από την Infineon Technologies, είναι MOSFET. Αυτό που προσφέρουμε έχει ανταγωνιστική τιμή στην παγκόσμια αγορά,που είναι σε πρωτότυπα και νέα εξαρτήματα.Αν θέλετε να μάθετε περισσότερα για τα προϊόντα ή να ζητήσετε χαμηλότερη τιμή, παρακαλούμε επικοινωνήστε μαζί μας μέσω του online chat ή στείλτε μας μια προσφορά!
Συγγενικά προϊόντα
![ποιότητας [#varpname#] εργοστάσιο](http://www.scarceic.com/images/load_icon.gif)
IPD25N06S4L-30
MOSFET N-Ch 60V 25A DPAK-2 OptiMOS-T2
![ποιότητας [#varpname#] εργοστάσιο](http://www.scarceic.com/images/load_icon.gif)
Δοκιμαστικό σύστημα
MOSFET N-Ch 55V 19A DPAK-2 OptiMOS
![ποιότητας [#varpname#] εργοστάσιο](http://www.scarceic.com/images/load_icon.gif)
Δελτίο ΕΚΑΧ, Δελτίο ΕΚΑΧ, Δελτίο ΕΚΑΧ
MOSFET N-CHANNEL 75/80V
![ποιότητας [#varpname#] εργοστάσιο](http://www.scarceic.com/images/load_icon.gif)
IPD35N10S3L-26
MOSFET N-Ch 100V 35A DPAK-2 OptiMOS-T
![ποιότητας [#varpname#] εργοστάσιο](http://www.scarceic.com/images/load_icon.gif)
FZ600R12KE4HOSA1
MOD IGBT MED PWR 62MM-2
![ποιότητας [#varpname#] εργοστάσιο](http://www.scarceic.com/images/load_icon.gif)
S26HS01GTGABHB030
IC FLASH 1GBIT HYPERBUS 24FBGA
![ποιότητας [#varpname#] εργοστάσιο](http://www.scarceic.com/images/load_icon.gif)
FM24V02A-GTR
IC FRAM 256KBIT I2C 3.4MHZ 8SOIC
![ποιότητας [#varpname#] εργοστάσιο](http://www.scarceic.com/images/load_icon.gif)
Fm24c16b-GTR
IC FRAM 16KBIT I2C 1MHZ 8SOIC
![ποιότητας [#varpname#] εργοστάσιο](http://www.scarceic.com/images/load_icon.gif)
S25FL127SABMFV101
IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 8SOIC
![ποιότητας [#varpname#] εργοστάσιο](http://www.scarceic.com/images/load_icon.gif)
TLE8366E V50
Switching Voltage Regulators 1.8A DC/DC Step-Down Voltage Regulator
Εικόνα | μέρος # | Περιγραφή | |
---|---|---|---|
![]() |
IPD25N06S4L-30 |
MOSFET N-Ch 60V 25A DPAK-2 OptiMOS-T2
|
|
![]() |
Δοκιμαστικό σύστημα |
MOSFET N-Ch 55V 19A DPAK-2 OptiMOS
|
|
![]() |
Δελτίο ΕΚΑΧ, Δελτίο ΕΚΑΧ, Δελτίο ΕΚΑΧ |
MOSFET N-CHANNEL 75/80V
|
|
![]() |
IPD35N10S3L-26 |
MOSFET N-Ch 100V 35A DPAK-2 OptiMOS-T
|
|
![]() |
FZ600R12KE4HOSA1 |
MOD IGBT MED PWR 62MM-2
|
|
![]() |
S26HS01GTGABHB030 |
IC FLASH 1GBIT HYPERBUS 24FBGA
|
|
![]() |
FM24V02A-GTR |
IC FRAM 256KBIT I2C 3.4MHZ 8SOIC
|
|
![]() |
Fm24c16b-GTR |
IC FRAM 16KBIT I2C 1MHZ 8SOIC
|
|
![]() |
S25FL127SABMFV101 |
IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 8SOIC
|
|
![]() |
TLE8366E V50 |
Switching Voltage Regulators 1.8A DC/DC Step-Down Voltage Regulator
|
Στείλετε το RFQ
Αποθέματα:
Τροποποιημένο: