Vishay Siliconix
| Εικόνα | μέρος # | Περιγραφή | κατασκευαστής | Αποθέματα | Επικεφαλής | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
SQJ409EP-T1_GE3 |
MOSFET P-CH 40V 60A PPAK SO-8
|
|
|
|
|
|
|
IRFP448PBF |
Δοκιμαστική ενέργεια
|
|
|
|
|
|
|
IRFBE30SPBF |
Δοκιμαστική μονάδα
|
|
|
|
|
|
|
Δελτίο ΕΚΑΧ |
Δοκιμαστική μονάδα
|
|
|
|
|
|
|
SQJ486EP-T1_GE3 |
MOSFET N-CH 75V 30A PPAK SO-8
|
|
|
|
|
|
|
Σημείωση: |
Δοκιμαστική ενέργεια
|
|
|
|
|
|
|
SQM120P06-07L_GE3 |
MOSFET P-CH 60V 120A TO263
|
|
|
|
|
|
|
SQM100P10-19L_GE3 |
MOSFET P-CH 100V 93A TO263
|
|
|
|
|
|
|
Ειδικότερα, η Επιτροπή θα πρέπει να λαμβάνει υπόψη τις απαιτήσεις του παρόντος κανονισμού. |
MOSFET N-CH 40V 350A PPAK SO-8
|
|
|
|
|
|
|
SQJ459EP-T1_GE3 |
MOSFET P-CH 60V 52A PPAK SO-8
|
|
|
|
|
|
|
ΣΥ7463ADP-T1-GE3 |
MOSFET P-CH 40V 46A PPAK SO-8
|
|
|
|
|
|
|
Ειδικότερα, η παραπομπή στο παράρτημα I του κανονισμού (ΕΚ) αριθ. 45/2001 πρέπει να περιλαμβάνει: |
Ειδικότερα, η παραγωγή των εν λόγω υλικών δεν πρέπει να υπερβαίνει το 50% του συνολικού ορίου παραγω
|
|
|
|
|
|
|
SUM70101EL-GE3 |
MOSFET P-CH 100V 120A TO263
|
|
|
|
|
|
|
IRFU120PBF |
Ειδικότερα, η μέθοδος αυτή δεν μπορεί να χρησιμοποιηθεί για την παραγωγή ηλεκτρικών συσσωρευτών.
|
|
|
|
|
|
|
SQJ872EP-T1_GE3 |
MOSFET N-CH 150V 24.5A PPAK SO-8
|
|
|
|
|
|
|
SQ7414CENW-T1_GE3 |
MOSFET N-CH 60V 18A PPAK1212-8W
|
|
|
|
|
|
|
SQ2337ES-T1_GE3 |
MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3
|
|
|
|
|
|
|
SQ2348ES-T1_GE3 |
MOSFET N-CH 30V 8A TO236
|
|
|
|
|
|
|
ΣΥ2333DDS-T1-GE3 |
MOSFET P-CH 12V 6A SOT23-3
|
|
|
|
|
|
|
IRFP9240PBF |
MOSFET P-CH 200V 12A TO247-3
|
|
|
|
|
|
|
ΣΥ7431DP-T1-GE3 |
MOSFET P-CH 200V 2.2A PPAK SO-8
|
|
|
|
|
|
|
IRF530PBF |
MOSFET N-CH 100V 14A έως 220AB
|
|
|
|
|
|
|
SQD40P10-40L_GE3 |
MOSFET P-CH 100V 38A έως 252AA
|
|
|
|
|
|
|
SIR182DP-T1-RE3 |
MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
|
|
|
|
|
|
|
ΣΥ7415DN-T1-GE3 |
Δοκιμαστικό σύστημα για την παραγωγή ηλεκτρικών οχημάτων
|
|
|
|
|
|
|
SUD50P04-08-GE3 |
MOSFET P-CH 40V 50A TO252
|
|
|
|
|
|
|
SQ2389ES-T1_GE3 |
MOSFET P-CH 40V 4.1A SOT23-3
|
|
|
|
|
|
|
ΣΥ4056ADY-T1-GE3 |
MOSFET N-CH 100V 5.9A/8.3A 8SOIC
|
|
|
|
|
|
|
SUM110P06-08L-E3 |
MOSFET P-CH 60V 110A TO263
|
|
|
|
|
|
|
IRF640STRRPBF |
MOSFET N-CH 200V 18A έως 263
|
|
|
|
|
|
|
SUM55P06-19L-E3 |
MOSFET P-CH 60V 55A TO263
|
|
|
|
|
|
|
ΣΥΡΑ80DP-T1-RE3 |
Ειδικότερα, η μέθοδος αυτή δεν μπορεί να χρησιμοποιηθεί για την αντιμετώπιση των κινδύνων που συνδέο
|
|
|
|
|
|
|
IRFL210TRPBF |
Δοκιμαστική ενέργεια
|
|
|
|
|
|
|
SQ3427EV-T1_GE3 |
MOSFET P-CH 60V 5.3A 6TSOP
|
|
|
|
|
|
|
SIHP18N50C-E3 |
Επικαιροποιημένα συστήματα
|
|
|
|
|
|
|
IRF640PBF |
MOSFET N-CH 200V 18A έως 220AB
|
|
|
|
|
|
|
ΣΥ7463DP-T1-GE3 |
MOSFET P-CH 40V 11A PPAK SO-8
|
|
|
|
|
|
|
SUM110P06-07L-E3 |
MOSFET P-CH 60V 110A TO263
|
|
|
|
|
|
|
IRFR430ATRPBF |
MOSFET ν-CH 500V 5A DPAK
|
|
|
|
|
|
|
IRFR214TRPBF |
Δοκιμαστική ενέργεια
|
|
|
|
|
|
|
SUD15N15-95-E3 |
MOSFET N-CH 150V 15A έως 252
|
|
|
|
|
|
|
ΣΥ2333DS-T1-GE3 |
MOSFET P-CH 12V 4.1A SOT23-3
|
|
|
|
|
|
|
ΣΥ2323CDS-T1-GE3 |
Δοκιμαστική ενέργεια
|
|
|
|
|
|
|
SQ3426AEEV-T1_GE3 |
Δοκιμαστική ενέργεια
|
|
|
|
|
|
|
SQ2398ES-T1_GE3 |
MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-3
|
|
|
|
|
|
|
SIHB22N60ET1-GE3 |
MOSFET N-CH 600V 21A TO263
|
|
|
|
|
|
|
SUD19N20-90-E3 |
MOSFET N-CH 200V 19A έως 252
|
|
|
|
|
|
|
SQD25N15-52_GE3 |
MOSFET N-CH 150V 25A έως 252
|
|
|
|
|
|
|
IRF840STRLPBF |
Δοκιμαστική μονάδα
|
|
|
|
|
|
|
Δελτίο ΕΚΑΧ της 16ης Ιουλίου 2006. |
MOSFET N-CH 600V 9.2A TO220AB
|
|
|
|