Φίλτρα
Φίλτρα
Ολοκληρωμένο κύκλωμα ημιαγωγών
| Εικόνα | μέρος # | Περιγραφή | κατασκευαστής | Αποθέματα | Επικεφαλής | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFP448PBF |
Δοκιμαστική ενέργεια
|
Vishay Siliconix
|
|
|
|
|
|
FDB86363-F085 |
MOSFET N-CH 80V 110A D2PAK
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
FQPF4N90C |
Δοκιμαστική ενέργεια
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
FQU17P06TU |
MOSFET P-CH 60V 12A IPAK
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
NVH4L022N120M3S |
SIC MOS TO247-4L 22MOHM 1200V
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
NVMFS5C410NLWFAFT1G |
MOSFET Ν-CH 40V 50A/330A 5DFN
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
Δελτίο ΕΚΑΧ, Δελτίο ΕΚΑΧ, Δελτίο ΕΚΑΧ, Δελτίο ΕΚΑΧ |
Δοκιμαστική μονάδα
|
Η Renesas Electronics America Inc.
|
|
|
|
|
|
FDP032N08 |
120A, 75V, 0.0032OHM, N κανάλι
|
Τεξας Instruments
|
|
|
|
|
|
Δελτίο ΕΚΑΧ αριθ. |
MOSFET N-CH 30V 65A 8WPAK
|
Η Renesas Electronics America Inc.
|
|
|
|
|
|
NTMFS6H836NT1G |
MOSFET N-CH 80V 15A/74A 5DFN
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
Δελτίο ΕΚΑΧ, Δελτίο ΕΚΑΧ, Δελτίο ΕΚΑΧ |
Δοκιμαστική ενέργεια
|
Η Renesas Electronics America Inc.
|
|
|
|
|
|
2V7002LT1G |
MOSFET Ν-CH 60V 115MA SOT23-3
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
IRFBE30SPBF |
Δοκιμαστική μονάδα
|
Vishay Siliconix
|
|
|
|
|
|
Δελτίο ΕΚΑΧ |
Δοκιμαστική μονάδα
|
Vishay Siliconix
|
|
|
|
|
|
Επικαιροποιημένα συστήματα |
Δυναμικό MOSFET, N-CHANNEL, SO8FL,
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
NVMFS5C638NLT1G |
Δοκιμαστικό σύστημα για την παραγωγή ηλεκτρικής ενέργειας
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
FDB12N50TM |
Δοκιμαστική μονάδα
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
SQJ486EP-T1_GE3 |
MOSFET N-CH 75V 30A PPAK SO-8
|
Vishay Siliconix
|
|
|
|
|
|
FCP067N65S3 |
MOSFET N-CH 650V 44A TO220
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
FCP099N65S3 |
MOSFET N-CH 650V 30A TO220-3
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
Σημείωση: |
Δοκιμαστική ενέργεια
|
Vishay Siliconix
|
|
|
|
|
|
FDP023N08B-F102 |
MOSFET ν-CH 75V 120A to220-3
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
NTMFS5C410NT1G |
MOSFET Ν-CH 40V 46A/300A 5DFN
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
FDP027N08B-F102 |
MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
SQM120P06-07L_GE3 |
MOSFET P-CH 60V 120A TO263
|
Vishay Siliconix
|
|
|
|
|
|
SQM100P10-19L_GE3 |
MOSFET P-CH 100V 93A TO263
|
Vishay Siliconix
|
|
|
|
|
|
NTMFS5C645NLT1G |
Δοκιμαστική ενέργεια
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
FDMS86300DC |
Δοκιμαστικό σύστημα για την παραγωγή ηλεκτρικής ενέργειας
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
FCD360N65S3R0 |
Δοκιμαστική μονάδα
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
Ειδικότερα, η Επιτροπή θα πρέπει να λαμβάνει υπόψη τις απαιτήσεις του παρόντος κανονισμού. |
MOSFET N-CH 40V 350A PPAK SO-8
|
Vishay Siliconix
|
|
|
|
|
|
SQJ459EP-T1_GE3 |
MOSFET P-CH 60V 52A PPAK SO-8
|
Vishay Siliconix
|
|
|
|
|
|
ΣΥ7463ADP-T1-GE3 |
MOSFET P-CH 40V 46A PPAK SO-8
|
Vishay Siliconix
|
|
|
|
|
|
Ειδικότερα, η παραπομπή στο παράρτημα I του κανονισμού (ΕΚ) αριθ. 45/2001 πρέπει να περιλαμβάνει: |
Ειδικότερα, η παραγωγή των εν λόγω υλικών δεν πρέπει να υπερβαίνει το 50% του συνολικού ορίου παραγω
|
Vishay Siliconix
|
|
|
|
|
|
NTD20P06LT4G |
Δοκιμαστική μονάδα
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
Επικαιροποίηση |
MOSFET ν-CH 60V 2.8A sot223-4
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
FDN302P |
MOSFET P-CH 20V 2.4A SUPERSOT3
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
FDA24N50F |
Δοκιμαστική ενέργεια
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
FDA69N25 |
MOSFET N-CH 250V 69A TO3PN
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
FDB045AN08A0 |
Δοκιμαστικό σύστημα
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
SUM70101EL-GE3 |
MOSFET P-CH 100V 120A TO263
|
Vishay Siliconix
|
|
|
|
|
|
NTD360N80S3Z |
Δοκιμαστική μονάδα
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
IRFU120PBF |
Ειδικότερα, η μέθοδος αυτή δεν μπορεί να χρησιμοποιηθεί για την παραγωγή ηλεκτρικών συσσωρευτών.
|
Vishay Siliconix
|
|
|
|
|
|
NTTFS5C673NLTAG |
MOSFET N-CH 60V 13A/50A 8WDFN
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
SQJ872EP-T1_GE3 |
MOSFET N-CH 150V 24.5A PPAK SO-8
|
Vishay Siliconix
|
|
|
|
|
|
NTF3055L108T1G |
MOSFET ν-CH 60V 3A SOT223
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
SQ7414CENW-T1_GE3 |
MOSFET N-CH 60V 18A PPAK1212-8W
|
Vishay Siliconix
|
|
|
|
|
|
FDC86244 |
MOSFET N-CH 150V 2.3A SUPERSOT6
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
SQ2337ES-T1_GE3 |
MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3
|
Vishay Siliconix
|
|
|
|
|
|
SQ2348ES-T1_GE3 |
MOSFET N-CH 30V 8A TO236
|
Vishay Siliconix
|
|
|
|
|
|
FDC5614P |
MOSFET P-CH 60V 3A SUPERSOT6
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|