Φίλτρα
Φίλτρα
Ολοκληρωμένο κύκλωμα ημιαγωγών
| Εικόνα | μέρος # | Περιγραφή | κατασκευαστής | Αποθέματα | Επικεφαλής | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
FDC658AP |
MOSFET P-CH 30V 4A SUPERSOT6
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
FDN358P |
MOSFET P-CH 30V 1.5A SUPERSOT3
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
NVR5124PLT1G |
MOSFET π-CH 60V 1.1A sot23-3
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
FDN335N |
Δοκιμαστική ενέργεια
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
ΣΥ2333DDS-T1-GE3 |
MOSFET P-CH 12V 6A SOT23-3
|
Vishay Siliconix
|
|
|
|
|
|
NTR4502PT1G |
MOSFET P-CH 30V 1.13A SOT23-3
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
FCH072N60F |
MOSFET N-CH 600V 52A TO247-3
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
NTHL065N65S3F |
MOSFET N-CH 650V 46A TO247-3
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
IRFP9240PBF |
MOSFET P-CH 200V 12A TO247-3
|
Vishay Siliconix
|
|
|
|
|
|
FDMS86350ET80 |
Δοκιμαστική ενέργεια
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
NTMFS5C410NLT1G |
Δοκιμαστικό σύστημα
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
FDP52N20 |
MOSFET N-CH 200V 52A TO220-3
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
ATP304-TL-H |
MOSFET P-CH 60V 100A ATPAK
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
FDB20N50F |
Δοκιμαστική μονάδα
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
ΣΥ7431DP-T1-GE3 |
MOSFET P-CH 200V 2.2A PPAK SO-8
|
Vishay Siliconix
|
|
|
|
|
|
IRF530PBF |
MOSFET N-CH 100V 14A έως 220AB
|
Vishay Siliconix
|
|
|
|
|
|
FDB52N20TM |
MOSFET N-CH 200V 52A D2PAK
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
NVMFS5113PLWFT1G |
MOSFET Π-CH 60V 10A/64A 5DFN
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
SQD40P10-40L_GE3 |
MOSFET P-CH 100V 38A έως 252AA
|
Vishay Siliconix
|
|
|
|
|
|
FDD86102 |
MOSFET Ν-CH 100V 8A/36A DPAK
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
SIR182DP-T1-RE3 |
MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
|
Vishay Siliconix
|
|
|
|
|
|
ΣΥ7415DN-T1-GE3 |
Δοκιμαστικό σύστημα για την παραγωγή ηλεκτρικών οχημάτων
|
Vishay Siliconix
|
|
|
|
|
|
FDD6637 |
MOSFET Π-CH 35V 13A/55A DPAK
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
FDMS86540 |
MOSFET Ν-CH 60V 20A/50A 8PQFN
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
NTD25P03LT4G |
MOSFET π-CH 30V 25A DPAK
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
SUD50P04-08-GE3 |
MOSFET P-CH 40V 50A TO252
|
Vishay Siliconix
|
|
|
|
|
|
FDD86569-F085 |
Δοκιμαστική μονάδα
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
NTD6416ANLT4G |
MOSFET ν-CH 100V 19A DPAK
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
Επικαιροποίηση: |
MOSFET π-CH 30V 13A 8SOIC
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
FQD19N10LTM |
Δοκιμαστική μονάδα
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
Fqt1n60ctf-WS |
MOSFET N-CH 600V 200MA SOT223-4
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
SQ2389ES-T1_GE3 |
MOSFET P-CH 40V 4.1A SOT23-3
|
Vishay Siliconix
|
|
|
|
|
|
ΣΥ4056ADY-T1-GE3 |
MOSFET N-CH 100V 5.9A/8.3A 8SOIC
|
Vishay Siliconix
|
|
|
|
|
|
NDT3055 |
MOSFET N-CH 60V 4A SOT-223-4
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
NTR1P02T1G |
Δοκιμαστική ενέργεια
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
Επικαιροποιημένα προϊόντα |
MOSFET P-CH 60V 1.8A 6TSOP
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
NTS4001NT1G |
Δοκιμαστική μονάδα
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
ΒSS84LT1G |
MOSFET Π-CH 50V 130MA SOT23-3
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
CPH6350-TL-W |
MOSFET P-CH 30V 6A 6CPH
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
ΒSS138LT1G |
Δοκιμαστική ενέργεια
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
SUM110P06-08L-E3 |
MOSFET P-CH 60V 110A TO263
|
Vishay Siliconix
|
|
|
|
|
|
IRF640STRRPBF |
MOSFET N-CH 200V 18A έως 263
|
Vishay Siliconix
|
|
|
|
|
|
SUM55P06-19L-E3 |
MOSFET P-CH 60V 55A TO263
|
Vishay Siliconix
|
|
|
|
|
|
FDMS86101 |
Ειδικότερα, η μέθοδος αυτή μπορεί να χρησιμοποιηθεί για την παραγωγή ηλεκτρικής ενέργειας από ηλεκτρ
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
FDMC86261P |
MOSFET P-CH 150V 2.7A/9A 8MLP
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
ΣΥΡΑ80DP-T1-RE3 |
Ειδικότερα, η μέθοδος αυτή δεν μπορεί να χρησιμοποιηθεί για την αντιμετώπιση των κινδύνων που συνδέο
|
Vishay Siliconix
|
|
|
|
|
|
IRFL210TRPBF |
Δοκιμαστική ενέργεια
|
Vishay Siliconix
|
|
|
|
|
|
SQ3427EV-T1_GE3 |
MOSFET P-CH 60V 5.3A 6TSOP
|
Vishay Siliconix
|
|
|
|
|
|
NTRV4101PT1G |
MOSFET π-CH 20V 1.8A sot23-3
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
SIHP18N50C-E3 |
Επικαιροποιημένα συστήματα
|
Vishay Siliconix
|
|
|