Φίλτρα
Φίλτρα
Ολοκληρωμένο κύκλωμα ημιαγωγών
| Εικόνα | μέρος # | Περιγραφή | κατασκευαστής | Αποθέματα | Επικεφαλής | |
|---|---|---|---|---|---|---|
![ποιότητας [#varpname#] εργοστάσιο](http://www.scarceic.com/images/load_icon.gif){kind=icon}
|
FDP023N08B-F102 |
MOSFET ν-CH 75V 120A to220-3
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
NTMFS5C410NT1G |
MOSFET Ν-CH 40V 46A/300A 5DFN
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
FDP027N08B-F102 |
MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
SQM120P06-07L_GE3 |
MOSFET P-CH 60V 120A TO263
|
Vishay Siliconix
|
|
|
|
|
|
SQM100P10-19L_GE3 |
MOSFET P-CH 100V 93A TO263
|
Vishay Siliconix
|
|
|
|
|
|
NTMFS5C645NLT1G |
Δοκιμαστική ενέργεια
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
FDMS86300DC |
Δοκιμαστικό σύστημα για την παραγωγή ηλεκτρικής ενέργειας
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
FCD360N65S3R0 |
Δοκιμαστική μονάδα
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
Ειδικότερα, η Επιτροπή θα πρέπει να λαμβάνει υπόψη τις απαιτήσεις του παρόντος κανονισμού. |
MOSFET N-CH 40V 350A PPAK SO-8
|
Vishay Siliconix
|
|
|
|
|
|
SQJ459EP-T1_GE3 |
MOSFET P-CH 60V 52A PPAK SO-8
|
Vishay Siliconix
|
|
|
|
|
|
ΣΥ7463ADP-T1-GE3 |
MOSFET P-CH 40V 46A PPAK SO-8
|
Vishay Siliconix
|
|
|
|
|
|
Ειδικότερα, η παραπομπή στο παράρτημα I του κανονισμού (ΕΚ) αριθ. 45/2001 πρέπει να περιλαμβάνει: |
Ειδικότερα, η παραγωγή των εν λόγω υλικών δεν πρέπει να υπερβαίνει το 50% του συνολικού ορίου παραγω
|
Vishay Siliconix
|
|
|
|
|
|
NTD20P06LT4G |
Δοκιμαστική μονάδα
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
Επικαιροποίηση |
MOSFET ν-CH 60V 2.8A sot223-4
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
FDN302P |
MOSFET P-CH 20V 2.4A SUPERSOT3
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
FDA24N50F |
Δοκιμαστική ενέργεια
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
FDA69N25 |
MOSFET N-CH 250V 69A TO3PN
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
FDB045AN08A0 |
Δοκιμαστικό σύστημα
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
SUM70101EL-GE3 |
MOSFET P-CH 100V 120A TO263
|
Vishay Siliconix
|
|
|
|
|
|
NTD360N80S3Z |
Δοκιμαστική μονάδα
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
IRFU120PBF |
Ειδικότερα, η μέθοδος αυτή δεν μπορεί να χρησιμοποιηθεί για την παραγωγή ηλεκτρικών συσσωρευτών.
|
Vishay Siliconix
|
|
|
|
|
|
NTTFS5C673NLTAG |
MOSFET N-CH 60V 13A/50A 8WDFN
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
SQJ872EP-T1_GE3 |
MOSFET N-CH 150V 24.5A PPAK SO-8
|
Vishay Siliconix
|
|
|
|
|
|
NTF3055L108T1G |
MOSFET ν-CH 60V 3A SOT223
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
SQ7414CENW-T1_GE3 |
MOSFET N-CH 60V 18A PPAK1212-8W
|
Vishay Siliconix
|
|
|
|
|
|
FDC86244 |
MOSFET N-CH 150V 2.3A SUPERSOT6
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
SQ2337ES-T1_GE3 |
MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3
|
Vishay Siliconix
|
|
|
|
|
|
SQ2348ES-T1_GE3 |
MOSFET N-CH 30V 8A TO236
|
Vishay Siliconix
|
|
|
|
|
|
FDC5614P |
MOSFET P-CH 60V 3A SUPERSOT6
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
FDC658AP |
MOSFET P-CH 30V 4A SUPERSOT6
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
FDN358P |
MOSFET P-CH 30V 1.5A SUPERSOT3
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
NVR5124PLT1G |
MOSFET π-CH 60V 1.1A sot23-3
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
FDN335N |
Δοκιμαστική ενέργεια
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
ΣΥ2333DDS-T1-GE3 |
MOSFET P-CH 12V 6A SOT23-3
|
Vishay Siliconix
|
|
|
|
|
|
NTR4502PT1G |
MOSFET P-CH 30V 1.13A SOT23-3
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
FCH072N60F |
MOSFET N-CH 600V 52A TO247-3
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
NTHL065N65S3F |
MOSFET N-CH 650V 46A TO247-3
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
IRFP9240PBF |
MOSFET P-CH 200V 12A TO247-3
|
Vishay Siliconix
|
|
|
|
|
|
FDMS86350ET80 |
Δοκιμαστική ενέργεια
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
NTMFS5C410NLT1G |
Δοκιμαστικό σύστημα
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
FDP52N20 |
MOSFET N-CH 200V 52A TO220-3
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
ATP304-TL-H |
MOSFET P-CH 60V 100A ATPAK
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
FDB20N50F |
Δοκιμαστική μονάδα
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
ΣΥ7431DP-T1-GE3 |
MOSFET P-CH 200V 2.2A PPAK SO-8
|
Vishay Siliconix
|
|
|
|
|
|
IRF530PBF |
MOSFET N-CH 100V 14A έως 220AB
|
Vishay Siliconix
|
|
|
|
|
|
FDB52N20TM |
MOSFET N-CH 200V 52A D2PAK
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
NVMFS5113PLWFT1G |
MOSFET Π-CH 60V 10A/64A 5DFN
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
SQD40P10-40L_GE3 |
MOSFET P-CH 100V 38A έως 252AA
|
Vishay Siliconix
|
|
|
|
|
|
FDD86102 |
MOSFET Ν-CH 100V 8A/36A DPAK
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
SIR182DP-T1-RE3 |
MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
|
Vishay Siliconix
|
|
|
