Φίλτρα
Φίλτρα
Ολοκληρωμένο κύκλωμα ημιαγωγών
| Εικόνα | μέρος # | Περιγραφή | κατασκευαστής | Αποθέματα | Επικεφαλής | |
|---|---|---|---|---|---|---|
![ποιότητας [#varpname#] εργοστάσιο](http://www.scarceic.com/images/load_icon.gif){kind=icon}
|
ΣΥ7415DN-T1-GE3 |
Δοκιμαστικό σύστημα για την παραγωγή ηλεκτρικών οχημάτων
|
Vishay Siliconix
|
|
|
|
|
|
FDD6637 |
MOSFET Π-CH 35V 13A/55A DPAK
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
FDMS86540 |
MOSFET Ν-CH 60V 20A/50A 8PQFN
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
NTD25P03LT4G |
MOSFET π-CH 30V 25A DPAK
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
SUD50P04-08-GE3 |
MOSFET P-CH 40V 50A TO252
|
Vishay Siliconix
|
|
|
|
|
|
FDD86569-F085 |
Δοκιμαστική μονάδα
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
NTD6416ANLT4G |
MOSFET ν-CH 100V 19A DPAK
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
Επικαιροποίηση: |
MOSFET π-CH 30V 13A 8SOIC
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
FQD19N10LTM |
Δοκιμαστική μονάδα
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
Fqt1n60ctf-WS |
MOSFET N-CH 600V 200MA SOT223-4
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
SQ2389ES-T1_GE3 |
MOSFET P-CH 40V 4.1A SOT23-3
|
Vishay Siliconix
|
|
|
|
|
|
ΣΥ4056ADY-T1-GE3 |
MOSFET N-CH 100V 5.9A/8.3A 8SOIC
|
Vishay Siliconix
|
|
|
|
|
|
NDT3055 |
MOSFET N-CH 60V 4A SOT-223-4
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
NTR1P02T1G |
Δοκιμαστική ενέργεια
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
Επικαιροποιημένα προϊόντα |
MOSFET P-CH 60V 1.8A 6TSOP
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
NTS4001NT1G |
Δοκιμαστική μονάδα
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
ΒSS84LT1G |
MOSFET Π-CH 50V 130MA SOT23-3
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
CPH6350-TL-W |
MOSFET P-CH 30V 6A 6CPH
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
ΒSS138LT1G |
Δοκιμαστική ενέργεια
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
SUM110P06-08L-E3 |
MOSFET P-CH 60V 110A TO263
|
Vishay Siliconix
|
|
|
|
|
|
IRF640STRRPBF |
MOSFET N-CH 200V 18A έως 263
|
Vishay Siliconix
|
|
|
|
|
|
SUM55P06-19L-E3 |
MOSFET P-CH 60V 55A TO263
|
Vishay Siliconix
|
|
|
|
|
|
FDMS86101 |
Ειδικότερα, η μέθοδος αυτή μπορεί να χρησιμοποιηθεί για την παραγωγή ηλεκτρικής ενέργειας από ηλεκτρ
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
FDMC86261P |
MOSFET P-CH 150V 2.7A/9A 8MLP
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
ΣΥΡΑ80DP-T1-RE3 |
Ειδικότερα, η μέθοδος αυτή δεν μπορεί να χρησιμοποιηθεί για την αντιμετώπιση των κινδύνων που συνδέο
|
Vishay Siliconix
|
|
|
|
|
|
IRFL210TRPBF |
Δοκιμαστική ενέργεια
|
Vishay Siliconix
|
|
|
|
|
|
SQ3427EV-T1_GE3 |
MOSFET P-CH 60V 5.3A 6TSOP
|
Vishay Siliconix
|
|
|
|
|
|
NTRV4101PT1G |
MOSFET π-CH 20V 1.8A sot23-3
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
SIHP18N50C-E3 |
Επικαιροποιημένα συστήματα
|
Vishay Siliconix
|
|
|
|
|
|
HUF75639P3 |
MOSFET N-CH 100V 56A TO220-3
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
IRF640PBF |
MOSFET N-CH 200V 18A έως 220AB
|
Vishay Siliconix
|
|
|
|
|
|
NTMFS5C442NT1G |
Δοκιμαστική μονάδα
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
FDBL0150N80 |
MOSFET N-CH 80V 300A 8HPSOF
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
ΣΥ7463DP-T1-GE3 |
MOSFET P-CH 40V 11A PPAK SO-8
|
Vishay Siliconix
|
|
|
|
|
|
SUM110P06-07L-E3 |
MOSFET P-CH 60V 110A TO263
|
Vishay Siliconix
|
|
|
|
|
|
IRFR430ATRPBF |
MOSFET ν-CH 500V 5A DPAK
|
Vishay Siliconix
|
|
|
|
|
|
FCD900N60Z |
Δοκιμαστική ενέργεια
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
FDMC86102L |
Ειδικότερα, η μέθοδος αυτή μπορεί να χρησιμοποιηθεί για την παραγωγή ηλεκτρικών συσσωρευτών.
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
IRFR214TRPBF |
Δοκιμαστική ενέργεια
|
Vishay Siliconix
|
|
|
|
|
|
SUD15N15-95-E3 |
MOSFET N-CH 150V 15A έως 252
|
Vishay Siliconix
|
|
|
|
|
|
Δελτίο ΕΚΑΧ, Δελτίο ΕΚΑΧ, Δελτίο ΕΚΑΧ |
MOSFET Ν-CH 60V 17A/71A 5DFN
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
FDS86242 |
MOSFET ν-CH 150V 4.1A 8SOIC
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
ΣΥ2333DS-T1-GE3 |
MOSFET P-CH 12V 4.1A SOT23-3
|
Vishay Siliconix
|
|
|
|
|
|
ΣΥ2323CDS-T1-GE3 |
Δοκιμαστική ενέργεια
|
Vishay Siliconix
|
|
|
|
|
|
SQ3426AEEV-T1_GE3 |
Δοκιμαστική ενέργεια
|
Vishay Siliconix
|
|
|
|
|
|
SQ2398ES-T1_GE3 |
MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-3
|
Vishay Siliconix
|
|
|
|
|
|
FDN339AN |
Δοκιμαστικό υλικό
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
NTGS4141NT1G |
MOSFET N-CH 30V 3.5A 6TSOP
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
NTBG025N065SC1 |
ΚΑΡΒΙΔΟΣ ΣΙΛΙΚΟΥ (SIC) MOSFET - 1
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
2V7002KT1G |
MOSFET Ν-CH 60V 320MA SOT23
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
