Φίλτρα
Φίλτρα
Ολοκληρωμένο κύκλωμα ημιαγωγών
| Εικόνα | μέρος # | Περιγραφή | κατασκευαστής | Αποθέματα | Επικεφαλής | |
|---|---|---|---|---|---|---|
![ποιότητας [#varpname#] εργοστάσιο](http://www.scarceic.com/images/load_icon.gif){kind=icon}
|
NVH4L160N120SC1 |
SICFET N-CH 1200V 17.3A TO247
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
FDN352AP |
MOSFET π-CH 30V 1.3A SUPERSOT3
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
2N7002LT1G |
MOSFET Ν-CH 60V 115MA SOT23-3
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
SIHB22N60ET1-GE3 |
MOSFET N-CH 600V 21A TO263
|
Vishay Siliconix
|
|
|
|
|
|
FDMS8333L |
MOSFET N CH 40V 22A Δύναμη 56
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
SUD19N20-90-E3 |
MOSFET N-CH 200V 19A έως 252
|
Vishay Siliconix
|
|
|
|
|
|
FDA032N08 |
MOSFET N-CH 75V 120A TO3PN
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
Ειδικότερα, η χρήση των εν λόγω προϊόντων δεν μπορεί να θεωρηθεί ως ελαττωματική. |
MOSFET ΔΥΝΑΜΗΣ, N-CHANNEL, SUPERFE
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
SQD25N15-52_GE3 |
MOSFET N-CH 150V 25A έως 252
|
Vishay Siliconix
|
|
|
|
|
|
IRF840STRLPBF |
Δοκιμαστική μονάδα
|
Vishay Siliconix
|
|
|
|
|
|
Δελτίο ΕΚΑΧ της 16ης Ιουλίου 2006. |
MOSFET N-CH 600V 9.2A TO220AB
|
Vishay Siliconix
|
|
|
|
|
|
FDP032N08B-F102 |
MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
FDS8870 |
MOSFET N-CH 30V 18A 8SOIC
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
SQ3418EV-T1_GE3 |
MOSFET N-CHANNEL 40V 8A 6TSOP
|
Vishay Siliconix
|
|
|
|
|
|
IRFR014TRLPBF |
MOSFET ν-CH 60V 7.7A DPAK
|
Vishay Siliconix
|
|
|
|
|
|
NTBG080N120SC1 |
Δοκιμαστική μονάδα
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
NTH4L045N065SC1 |
ΚΑΡΒΙΔΟΣ ΣΙΛΙΩΝΟΥ MOSFET, NCHANNEL
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
IRFBC30PBF |
Δοκιμαστική ενέργεια
|
Vishay Siliconix
|
|
|
|
|
|
FDS6576 |
MOSFET P-CH 20V 11A 8SOIC
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
IRFP360PBF |
MOSFET N-CH 400V 23A TO247-3
|
Vishay Siliconix
|
|
|
|
|
|
IRFZ14PBF |
MOSFET N-CH 60V 10A TO220AB
|
Vishay Siliconix
|
|
|
|
|
|
IRF9530PBF |
MOSFET P-CH 100V 12A TO220AB
|
Vishay Siliconix
|
|
|
|
|
|
IRFBE30PBF |
MOSFET N-CH 800V 4.1A TO220AB
|
Vishay Siliconix
|
|
|
|
|
|
SQJ147ELP-T1_GE3 |
Ειδικότερα, η μέθοδος αυτή χρησιμοποιείται για την ανάλυση των επιπτώσεων των ελαστικών ορυκτών.
|
Vishay Siliconix
|
|
|
|
|
|
SISS42LDN-T1-GE3 |
Δοκιμαστική μονάδα
|
Vishay Siliconix
|
|
|
|
|
|
IRFPE50PBF |
MOSFET N-CH 800V 7.8A TO247-3
|
Vishay Siliconix
|
|
|
|
|
|
SQS481ENW-T1_GE3 |
MOSFET P-CH 150V 4.7A PPAK1212-8
|
Vishay Siliconix
|
|
|
|
|
|
SQA403EJ-T1_GE3 |
Δοκιμαστικό σύστημα
|
Vishay Siliconix
|
|
|
|
|
|
IRF830PBF |
MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220AB
|
Vishay Siliconix
|
|
|
|
|
|
SIR626ADP-T1-RE3 |
Ειδικότερα, οι εν λόγω διατάξεις εφαρμόζονται σε οχήματα με κινητήρα που είναι κατασκευασμένα για τη
|
Vishay Siliconix
|
|
|
|
|
|
2N7002KW |
Δοκιμαστική ενέργεια
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
IRFL110TRPBF |
MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
|
Vishay Siliconix
|
|
|
|
|
|
Σημείωση: |
MOSFET N-CH 500V 20A έως 247AC
|
Vishay Siliconix
|
|
|
|
|
|
Σημείωση: |
MOSFET N-CH 600V 99A έως 247AC
|
Vishay Siliconix
|
|
|
|
|
|
IRFD110PBF |
Δοκιμαστική ενέργεια
|
Vishay Siliconix
|
|
|
|
|
|
Δελτίο ΕΚΑΧ της 10ης Ιουνίου 2006. |
MOSFET N-CH 150V 130A TO220-3
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
SQ4401EY-T1_GE3 |
MOSFET P-CH 40V 17.3A 8SO
|
Vishay Siliconix
|
|
|
|
|
|
IRFP460PBF |
MOSFET N-CH 500V 20A TO247-3
|
Vishay Siliconix
|
|
|
|
|
|
SUD50P06-15L-E3 |
MOSFET P-CH 60V 50A TO252
|
Vishay Siliconix
|
|
|
|
|
|
Si7469dp-T1-GE3 |
MOSFET P-CH 80V 28A PPAK SO-8
|
Vishay Siliconix
|
|
|
|
|
|
FDMS039N08B |
Δοκιμαστική ενέργεια για την παραγωγή ηλεκτρικής ενέργειας
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
IRFP250PBF |
MOSFET N-CH 200V 30A TO247-3
|
Vishay Siliconix
|
|
|
|
|
|
RJK0651DPB-00#J5 |
Δοκιμαστική μονάδα
|
Η Renesas Electronics America Inc.
|
|
|
|
|
|
SQD50P04-09L_GE3 |
MOSFET P-CH 40V 50A TO252
|
Vishay Siliconix
|
|
|
|
|
|
SI7465DP-T1-GE3 |
MOSFET P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8
|
Vishay Siliconix
|
|
|
|
|
|
FDMC510P |
MOSFET P-CH 20V 12A/18A 8MLP
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
FDN86246 |
MOSFET N-CH 150V 1.6A SUPERSOT3
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
IRLL014TRPBF |
MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT223
|
Vishay Siliconix
|
|
|
|
|
|
IRFR9024TRPBF |
Δοκιμαστική μονάδα
|
Vishay Siliconix
|
|
|
|
|
|
ΣΥ9407BDY-T1-GE3 |
MOSFET P-CH 60V 4.7A 8SO
|
Vishay Siliconix
|
|
|
