Φίλτρα
Φίλτρα
Ολοκληρωμένο κύκλωμα ημιαγωγών
| Εικόνα | μέρος # | Περιγραφή | κατασκευαστής | Αποθέματα | Επικεφαλής | |
|---|---|---|---|---|---|---|
![ποιότητας [#varpname#] εργοστάσιο](http://www.scarceic.com/images/load_icon.gif){kind=icon}
|
SQ2308CES-T1_GE3 |
Δοκιμαστική ενέργεια
|
Vishay Siliconix
|
|
|
|
|
|
FDC638APZ |
MOSFET π-CH 20V 4.5A SUPERSOT6
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
IRFP450APBF |
MOSFET N-CH 500V 14A TO247-3
|
Vishay Siliconix
|
|
|
|
|
|
Δελτίο ΕΚΑΧ της 10ης Ιουνίου 2006. |
Δοκιμαστικό σύστημα για την παραγωγή ηλεκτρικών συσσωρευτών
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
FDB075N15A |
Δοκιμαστική μονάδα
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
SIR167DP-T1-GE3 |
MOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8
|
Vishay Siliconix
|
|
|
|
|
|
FDT3612 |
MOSFET ν-CH 100V 3.7A sot223-4
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
Si3127DV-T1-GE3 |
MOSFET P-CH 60V 3.5A/13A 6TSOP
|
Vishay Siliconix
|
|
|
|
|
|
ΣΥ2309CDS-T1-GE3 |
MOSFET P-CH 60V 1.6A SOT23-3
|
Vishay Siliconix
|
|
|
|
|
|
2N7002ET1G |
MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
SQ2318AES-T1_GE3 |
Δοκιμαστική ενέργεια
|
Vishay Siliconix
|
|
|
|
|
|
NTR4101PT1G |
MOSFET π-CH 20V 1.8A sot23-3
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
FDC5612 |
Δοκιμαστική ενέργεια
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
NVH4L080N120SC1 |
SICFET N-CH 1200V 29A TO247-4
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
FDBL86561-F085 |
MOSFET N-CH 60V 300A 8HPSOF
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
ΣΥ2356DS-T1-GE3 |
MOSFET N-CH 40V 4.3A TO236
|
Vishay Siliconix
|
|
|
|
|
|
FDMS86350 |
MOSFET Ν-CH 80V 25A/130A POWER56
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
FDB33N25TM |
MOSFET N-CH 250V 33A D2PAK
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
NTTFS5116PLTAG |
MOSFET π-CH 60V 5.7A 8WDFN
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
ΒSS138 |
MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23-3
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
IRF840ALPBF |
Δοκιμαστική μονάδα
|
Vishay Siliconix
|
|
|
|
|
|
FDV301N |
MOSFET Ν-CH 25V 220MA SOT23
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
FDA24N40F |
Δοκιμαστική ενέργεια
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
NTGS3446T1G |
MOSFET N-CH 20V 2.5A 6TSOP
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
SUD50P10-43L-E3 |
MOSFET P-CH 100V 37.1A TO252
|
Vishay Siliconix
|
|
|
|
|
|
SQJ182EP-T1_GE3 |
ΑΤΟΜΟΤΕΡΙΚΟ N-ΚΑΝΑΛΟ 80 V (D-S)
|
Vishay Siliconix
|
|
|
|
|
|
FDMS86163P |
MOSFET Π-CH 100V 7.9A/50A 8PQFN
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
NVD5117PLT4G-VF01 |
MOSFET Π-CH 60V 11A/61A DPAK
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
ΣΥ7155DP-T1-GE3 |
Δοκιμαστική μονάδα
|
Vishay Siliconix
|
|
|
|
|
|
FDBL86361-F085 |
MOSFET N-CH 80V 300A 8HPSOF
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
ΣΥ2337DS-T1-E3 |
MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3
|
Vishay Siliconix
|
|
|
|
|
|
FDMS86263P |
Δοκιμαστική ενέργεια
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
NVMFS5113PLT1G |
MOSFET Π-CH 60V 10A/64A 5DFN
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
IRF740PBF |
MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB
|
Vishay Siliconix
|
|
|
|
|
|
FDMS7670 |
Ειδικότερα, η μέθοδος αυτή δεν μπορεί να χρησιμοποιηθεί για την παρακολούθηση των οχημάτων που χρησι
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
NTMFS5C604NLT3G |
MOSFET Ν-CH 60V 40A/287A 5DFN
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
SIA456DJ-T1-GE3 |
MOSFET N-CH 200V 2.6A PPAK SC70
|
Vishay Siliconix
|
|
|
|
|
|
ΣΥ7461DP-T1-GE3 |
MOSFET π-CH 60V 8.6A PPAK έτσι-8
|
Vishay Siliconix
|
|
|
|
|
|
bss84 |
MOSFET Π-CH 50V 130MA SOT23-3
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
FDP036N10A |
MOSFET N-Ch 100V 120A TO220-3
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
ΜΜΒΦ5485 |
JFET Ν-CH 25V 10MA SOT23
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
MMBF5484 |
Ραδιοφωνικό MOSFET N-CH JFET 15V SOT23-3
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
2sk3557-7-φυματίωση-ε |
Διάταξη 2
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
2sk3557-6-φυματίωση-ε |
Διάταξη 2
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
ΕΝΑΝΤΙΟΝ - 40 TPS 12 Π.Μ. 3 |
SCR 1.2KV 55A έως 247AC
|
Vishay General Semiconductor - Διεύθυνση Διοδίων
|
|
|
|
|
|
CR02AM-8#BD0 |
ΤΥΡΙΣΤΟΡ 400V 0.2A TO92-3
|
Η Renesas Electronics America Inc.
|
|
|
|
|
|
Εναντίον-70TPS12PBF |
SCR 1.2KV 75A SUPER-247
|
Vishay General Semiconductor - Διεύθυνση Διοδίων
|
|
|
|
|
|
VS-50TPS12L-M3 |
SCR 1.2KV 79A έως 247L
|
Vishay General Semiconductor - Διεύθυνση Διοδίων
|
|
|
|
|
|
MCP79412T-I/MNY |
|
Τεχνολογία μικροτσίπ
|
|
|
|
|
|
PL904118UMG |
IC JITTER ATTEN 32QFN
|
Τεχνολογία μικροτσίπ
|
|
|
